| Temperature | Bias | Duration | Sample Size |
|---|---|---|---|
| Tj ≥ 125 °C | Maximum Operating Voltage | 48 ≤ t ≤ 168 hrs | Refer to JESD47 |
* 按所要求的FPM水平，最低可設為229，最高可設為115,153。
| JEDEC試驗：求前期不良率；AEC試驗：判斷合格與否 | |
|---|---|
| 0級：在150 °C 48小時或在175 °C 24小時 | sample Size : 3Lots (800 units/lot) |
| 1級：在125 °C 48小時或在150 °C 24小時 | |
| 2級：在105 °C 48小時或在125 °C 24小時 | |
| 3級：在85 °C 48小時或在105 °C 24小時 | |
| 4級：在70 °C 48小時或在90 °C 24小時 | |
* 上述條件中選擇一項以上進行試驗。試驗完畢后48小時內進行電氣特性試驗，若試驗結果出現0個“否”，將獲得相應等級。
JESD22-A108 “Temperature, Bias and Operating Life”
AEC-Q100-008 “Early Life Failure Rate”
與導致前期不良的Burn-in不同，HTOL是為評估產品在使用條件中使用壽命程度的項目，試驗焦點放在wear-out failure。因此使用壽命試驗應預留充分的時間進行，以免被前期不良或在infant mortality區段發生不良影響。
試驗時間根據周邊溫度（ambient Temperature）可能增加或減少，除非有特殊要求，試驗停止后96小時內應進行中間測量或最終測量。通常當168小時（+72, -0）和504小時（+168, -0）時進行中間測量。HTOL與只是長時間進行的burn-in相似，可直接使用burn-in oven。因HTOL被加速的不良機制有Time-Dependent Dielectric Breakdown（TDDB）、electromigration、hot carrier effects、charge effects、mobile ionic contamination等。
| 溫度 | 偏置（Bias） | 維持時間 |
|---|---|---|
| Tj ≥ 125 °C | 最高操作電壓 | 1000 小時 |
JESD22-A108 “Temperature, Bias and Operating Life”
LTOL是測試產品在低溫下長時間操作時體現何等可靠性的評估試驗。該試驗向試料施加所規定的Bias，在規定的溫度（低溫）下長時間進行試驗。LTOL概念基本與HOTL一致，JEDEC -JESD22-A108中也有記載兩種試驗。如同HOTL一樣，施加電源的方法上有幾點要求：第一、不能發生Overstress或thermal runaway；第二、不可超標相應datasheet上規定的limit。
除了中間測量外，整個試驗時間均適用試驗條件。除非有特殊規定，LTOL試驗的周邊溫度最低可調到-40 ℃。中間測量必須進行在從去除試驗條件96個小時內，若試料滿足不了相應spec特性，就被判定為不良。一般為了評估主要在高電壓及低溫狀態下加重的hot carrier effect而進行本試驗。
| 溫度 | 偏置(Bias) | 維持時間 | 標本尺寸 |
|---|---|---|---|
| Tj ≤ 50 °C (Maximum Ta ≤ -40 °C) | 最高操作電壓 | 1000 小時 | 1Lots / 32個 |
JESD22-A108 “Temperature, Bias and Operating Life”
所謂非揮發性內存可靠性試驗，可分為1）耐久性試驗（反復試驗輸入/刪除）和2）數據維持試驗。
耐久性試驗中按規定次數反復進行輸入、刪除，被判定為“Pass”的話將整個樣品分成一半進行數據維持試驗。此時設計者（或可靠性負責人）需要親自指定要測試的pattern和輸入、刪除的portion。每不同Spec維持試驗會有所不同，JEDEC使用HTSL和LTOL，AEC則使用HTOL和HTSL。
| 數據維持試驗 | ||
|---|---|---|
| HTDR | LTDR | |
| 選項1：Tj = 100 °C | 選項2：Tj = 125 °C | Ta = 25 °C |
| 3 Lots / 39 個 | 3 Lots / 38 個 | |
| Cycles per NVCE(≥55 °C) / 96 及1000小時/ 0不合格 | Cycles per NVCE(≥55 °C) / 10 及100小時/ 0不合格 | Cycles per NVCE(25 °C) / 500 小時/ 0不合格 |
JESD22-A117 “Electrically Erasable Programmable ROM (EEPROM) Program/Erase Endurance and Data Retention Stress Test”
AEC-A100-005”Non-Volatile Memory Program/Erase Endurance, Data Retention, and Operational Life Test”
