樣品預處理，破壞分析

電子配件一般由被叫做epoxy molding compound的合成模塑料圍繞而成，以保護內部chip。為了觀察內部chip或gold wire、lead frame，去除合成模塑料的過程可稱為皮膜剝離。
皮膜剝離大致可分為只去除一部分的hole decapsulation和去除整個EMC的full decapsulation。Hole decapsulation是針對內部wire和bonding pad不引起任何損傷而去除EMC的工程，能另行電氣測量顯然是個優點。除了EMC外，還能提供對glass材質或金屬材質device進行皮膜剝離的服務。

半導體由多個金屬層和氧化膜組成。為分析半導體內部結構，需要一層一層地去除每個層次時，將進行delayering。以利用化學藥品的濕式蝕刻和利用gas的干式蝕刻以及利用物理化學功法的polishing法，能一一去除內部層面。

該方法主要用在觀察電器配件或PCB、SMT level斷面時采用的分析方法。通過所要確認部位的斷面觀察，檢測出結構分析及不良原因。
針對通過Scanning acoustic tomography檢測的剝離現象進一步確認正確的不良部位時常利用的試驗方法，像solder joint crack或solder resist crack一樣，要檢測高難度不良現象的情況下廣泛采用本試驗。

Focused ion beam從對試料表面注入離子波束，進行影視處理的角度來說，類似于SEM。而且通過離子波束的注射對試料微小部位可以蝕刻所需形態，并以Pt蒸鍍，對所要的部位能蒸鍍所需形態。利用這種特性，一般用來修改半導體電路，對微小部位上的不良部分可以進行斷面分析。